消息称三星正加速生产面向AI的HBM存储芯片 与海力士及台积电竞争

IT之家 6 月 27 日消息，消息向今年 5 月，称星产面M存储芯三星设备解决方案部门总裁 Kye Hyun Kyung 承认，正加三星的速生代工技术落后于台积电。他同时表示，片海三星将在五年内超过台积电。力士现在有消息称，及台积电竞争三星正准备于今年大规模生产面向 AI 应用的消息向高带宽存储芯片。

据外媒 KoreaTimes 报道，称星产面M存储芯三星计划在 2023 年下半年大规模生产面向 AI 的正加 HBM 芯片，而目前，速生他们的片海主要目标是先迎头赶上 SK 海力士，后者在 AI 存储芯片市场迅速取得了领先地位。力士

IT之家注意到，及台积电竞争2022 年 SK 海力士在 HBM 市场占有约 50% 的消息向份额，而三星占有约 40% 的份额。美光占有剩余的 10%。不过，HBM 市场整体上并不大，仅占整个 DRAM 市场的约 1%。

尽管如此，随着 AI 市场的增长，对 HBM 解决方案的需求预计将增加，三星现在计划迎头赶上 SK 海力士，并大规模生产 HBM3 芯片以应对市场变化，当下应用 AI 的存储芯片正在愈发普遍，而高带宽存储解决方案也越来越受到关注。

谷歌的 Tensor 3 芯片渲染图 图源：XDA

而此前消息称，三星赢得了 AMD 和谷歌作为其客户，三星将在其第三代 4 纳米工艺节点上制造谷歌的 Tensor 3 芯片，传闻中的 Exynos 2400 SoC 也可能是在 4 纳米工艺上制造。

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